JW27023-Memory设计工程师

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当前公开岗位库收录中兴微电子 105 个在招校招岗位。岗位数量与状态以企业官网为准。

是否提交成功以企业官网回执或申请记录为准。

工作职责：

1、负责新工艺平台Memory TQV设计，Memory DTCO（设计工艺协同优化）；

2、负责高性能、低功耗Memory （SRAM）电路仿真设计；

3、探索CIM （存内计算）设计；

4、新型Memory预研；

5、Memory EDA view 建模，K库，设计流程开发，测试等方法学。

任职要求：

1、电子工程及相关专业，硕士及以上；

2、半导体物理、器件基础知识扎实，熟练掌握数子电路设计及模拟电路设；

3、熟悉Linux操作系统，熟悉shell/Paython 编程；

4、沟通能力强、合作性好。

先核对岗位要求与自己的经历，再准备档案、投递和面试。