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灿芯半导体

存储设计工程师

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岗位描述

岗位职责
NVM 存储设计工程师
1.负责嵌入式非易失性存储器(NVM)IP的架构定义与全流程电路设计,覆盖eFUSE, eFlash, 等主流存储类型,以及MRAM、RRAM等新型存储技术;
2.指导版图工程师完成NVM存储器阵列及外围模拟模块的版图设计;
3.支持NVM IP DK的生成,包括verilog, Liberty,datasheet, bitmap等;
4.支持相关NVM testchip的设计以及测试。

SRAM存储设计工程师
1.负责各工艺节点下嵌入式SRAM IP的架构定义与全流程电路设计,覆盖SP SRAM, DP SRAM, Register File及ROM等多种存储类型;
2.指导版图工程师完成SRAM 存储器阵列及外围模拟模块的版图设计;
3.支持SRAM Compiler的开发和维护;
4.支持SRAM IP DK的生成,包括verilog, Liberty,datasheet, bitmap等;
5.支持相关SRAM testchip的设计以及测试。

岗位要求
1.微电子方向或相关专业的本科,硕士或博士研究生,具备一定的模拟及混合信号晶体管级电路设计的直接经验;
2.具备eFUSE/eFlash/MRAM/RRAM一项或多项存储器设计经验优先;
3.熟练使用主流模拟设计EDA工具,包括Cadence Virtuoso、Spectre、HSPICE、XA、FINESIM等,进行全定制电路设计与仿真;
4.熟悉CMOS、Fin-FET和FD-SOI等先进工艺节点,具备跨工艺节点设计经验;
5.具备优秀的中英文技术文档读写能力,以及良好的沟通协调能力,能够与版图、测试、系统等团队高效合作。

半导体/芯片方向的申请准备

先核对岗位要求与自己的经历,再准备档案、投递和面试。

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