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长江存储

博士后(先进存储芯片老化模型及DFR开发方向)(J14818)

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岗位描述

岗位职责
1. 负责构建先进CMOS 器件老化模型,建立"工艺角/波动—器件退化"的参数化映射;
2. 协同可靠性与表征团队设计并分析加速应力测试,基于测试数据完成模型校准,形成"测试—模型"验证与迭代闭环;
3. 开发 DFR (Design for Reliability)方法学:建立"可靠性目标设定—器件/模块级指标分解—可靠性裕度判据—验证策略"的方法框架,沉淀可靠性设计规则库;
4. 开发 DFR 工具:将老化模型集成至模型/电路协同仿真,实现寿命预测与可靠性裕度自动分析,形成可复用 DFR 闭环流程;
5. 输出DFR 规则库交付物等,完成论文、专利等博士后研究交付。

岗位要求
1. 微电子、半导体物理、可靠性工程等相关专业,研究方向与 CMOS 器件老化或器件建模等相关;
2. 精通半导体器件物理与 CMOS 可靠性机理,熟练掌握动力学建模、Weibull/Arrhenius/贝叶斯统计与加速试验建模方法;
3. 熟练使用 TCAD/HSPICE 等仿真工具,有Aging model 或 TCAD 可靠性仿真经验,具备 CMOS 器件设计/工艺开发经验者优先;
4. 发表过高水平学术论文,具有强烈的科研兴趣和创新精神,治学严谨,具备良好的团队协作与沟通表达能力。

半导体/芯片方向的申请准备

先核对岗位要求与自己的经历,再准备档案、投递和面试。

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