岗位描述
岗位职责
负责 QCCD(Quantum Charge-Coupled Device)架构离子阱芯片及相关器件的工艺开发、验证、优化与量产导入。
参与表面电极离子阱、分区离子阱及微纳结构设计的可制造性评审,制定晶圆级工艺路线和关键参数规范。
负责光刻、薄膜沉积、刻蚀、电镀、CMP、深硅刻蚀、介质层制备及金属互连等微纳加工工艺。
负责离子阱芯片的划片、清洗、键合、引线互连、封装及超高真空兼容装配工艺。
开发 QCCD 多区域器件的电极一致性、低寄生电容、低电噪声、绝缘可靠性及表面洁净度控制方案。
配合量子测控团队开展离子装载、囚禁、分裂、合并、穿梭及结区转运等功能验证,分析工艺对离子加热率、寿命和门保真度的影响。
建立关键工艺控制计划,完成 DOE、SPC、PFMEA、MSA、失效分析及工艺窗口验证。
分析并解决断路、短路、漏电、介质击穿、薄膜应力、颗粒污染、表面充电和真空放气等工艺问题。
负责工装夹具、掩模版、测试载具及专用工艺设备的需求定义、验收和持续改进。
编制和维护工艺流程、作业指导书、检验标准、设备操作规范及工艺变更文件。
协同芯片设计、离子阱物理、光学、电子学、真空、封装及供应链团队推进产品迭代和工程化交付。
评估外协晶圆厂及供应商的工艺能力,推动关键材料、设备和加工环节的稳定供应。
岗位要求
负责 QCCD(Quantum Charge-Coupled Device)架构离子阱芯片及相关器件的工艺开发、验证、优化与量产导入。
参与表面电极离子阱、分区离子阱及微纳结构设计的可制造性评审,制定晶圆级工艺路线和关键参数规范。
负责光刻、薄膜沉积、刻蚀、电镀、CMP、深硅刻蚀、介质层制备及金属互连等微纳加工工艺。
负责离子阱芯片的划片、清洗、键合、引线互连、封装及超高真空兼容装配工艺。
开发 QCCD 多区域器件的电极一致性、低寄生电容、低电噪声、绝缘可靠性及表面洁净度控制方案。
配合量子测控团队开展离子装载、囚禁、分裂、合并、穿梭及结区转运等功能验证,分析工艺对离子加热率、寿命和门保真度的影响。
建立关键工艺控制计划,完成 DOE、SPC、PFMEA、MSA、失效分析及工艺窗口验证。
分析并解决断路、短路、漏电、介质击穿、薄膜应力、颗粒污染、表面充电和真空放气等工艺问题。
负责工装夹具、掩模版、测试载具及专用工艺设备的需求定义、验收和持续改进。
编制和维护工艺流程、作业指导书、检验标准、设备操作规范及工艺变更文件。
协同芯片设计、离子阱物理、光学、电子学、真空、封装及供应链团队推进产品迭代和工程化交付。
评估外协晶圆厂及供应商的工艺能力,推动关键材料、设备和加工环节的稳定供应。