腐蚀工艺开发工程师

岗位职责
1、8寸干法蚀刻工艺开发：负责8英寸晶圆产线中干法蚀刻工艺的开发与优化，涉及MEMS（微机电系统）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）及BCD（双极-CMOS-DMOS）等特色工艺平台，针对硅、氧化硅、氮化硅、金属及多晶硅等不同材料开发匹配的刻蚀配方
2、工艺参数调试与窗口建立：主导等离子体刻蚀（ICP、RIE、DRIE等）的参数调试，优化刻蚀速率、选择比、均匀性、各向异性及侧壁形貌等关键指标，建立并验证稳定的工艺窗口
3、研发菜单向量产转移：负责将研发阶段的蚀刻工艺菜单转移至量产阶段，解决转移过程中的工艺漂移、缺陷率升高、均匀性恶化等工程问题，确保技术从可行性验证到大规模生产的平稳落地
4、跨模块工艺整合与问题闭环：协同光刻、薄膜沉积等前道工序开展集成工艺验证，识别并解决跨模块兼容性问题；针对蚀刻偏移、侧壁倾斜、微掩模残留、颗粒缺陷等异常进行根因分析，制定纠正与预防措施

任职要求
学历专业：研究生及以上学历，微电子、半导体物理、材料科学、等离子体物理、电子工程等相关专业

工作地点
中国,江苏,无锡市