岗位描述
工作内容
1.负责自旋轨道矩磁存储器器件研发工作,降低器件写电流和功耗;
2.负责探索、验证与CMOS后道工艺兼容的新型自旋源材料以及相关原型器件工艺研发,设计实验方案,开展流片验证,分析器件电磁学测试数据,持续优化材料与器件性能;
3.与集成工艺、电路设计、仿真、应用等研发团队协同工作,推进新型自旋源材料在芯片上的验证与应用。
任职条件
1.具有自旋电子学研究背景,具有薄膜材料研发经验。
2.熟练使用磁控溅射等薄膜沉积设备、光刻、激光直写以及IBE、RIE等刻蚀设备,熟悉VSM、MOKE等磁性材料性能表征手段及分析。
3.熟悉XRD、TEM、EDS、AFM等材料表征手段及分析。
4.熟练使用器件与工艺仿真软件者优先。
5.创新能力和动手能力强,并具有较强的数据处理、分析能力,具备良好的英文阅读及写作能力。
为人正直诚实,品行端正,工作态度认真,有较强的沟通协作能力、团队意识和执行力。