材料与器件研发工程师

工作内容
1.负责新型自旋存储材料（如磁性薄膜、异质结等）的研发与工艺优化，开展材料组分设计、界面工程及制备参数探索，建立稳定可靠的材料制备方案；
2.承担磁隧道结（MTJ）及相关原型器件的结构设计与全流程制备，涵盖薄膜生长、微纳图形化、刻蚀及后端封装等工艺环节，推动器件性能迭代；
3.系统开展材料与器件的物性表征及电输运测量，综合分析结构与磁学性能数据，定位性能瓶颈并提出优化策略；
4.紧密跟踪自旋电子学及MRAM领域国际前沿动态，结合产业需求凝练研究方向，参与科研项目申报、技术报告撰写及成果转化；
5.协同芯片设计、工艺集成及应用等跨职能团队，推动技术从实验室研发向工程化验证过渡，并参与标准化文档与知识产权成果的产出。

任职条件
1.凝聚态物理、材料学、微电子、电子科学与技术等相关专业，硕士及以上学历；
2.具备扎实的磁学与自旋电子学理论基础，熟悉磁性薄膜制备工艺（如磁控溅射等）及微纳加工流程，能够独立完成材料与器件的实验制备；
3.掌握常用结构与磁学表征手段，以及电学/磁电输运测试方法，具备较强的实验数据分析与归纳能力；
4.具有相关自旋存储材料与器件研究经历者优先；
5.具备良好的英文文献阅读与学术写作能力，工作态度严谨踏实，责任心强，善于团队协作与跨部门沟通。