模拟IC设计工程师（MRAM阵列方向）

岗位：模拟IC设计工程师（MRAM阵列方向）
学历：硕士,博士
需求专业：电子科学与技术,电子信息
需求人数：2
工作地点：北京市海淀区,

职位描述：
一、岗位职责

1.负责MRAM存储阵列模拟前端电路设计，含读写链路、灵敏放大器、写入驱动、译码器及字线/位线/源线偏置控制。

2.针对阵列IR Drop、寄生RC及耦合噪声，设计补偿与校准电路。

3.协同版图工程师优化读出时序匹配与信号完整性。

4.设计高精度灵敏放大器、ADC/DAC、低抖动时钟链（PLL/DLL/OSC）及LDO/Bandgap等电源管理IP。

5.参与阵列读出链路顶层预算分配（噪声/失调/建立时间/功耗）。

6.对阵列非理想效应（TM ratio退化、工艺波动、温度漂移）进行系统建模，指导设计裕量设定。

7.制定关键模块版图约束与匹配策略，推动DFM/ESD可靠性落地。

8.支持硅后测试与调试，主导失效分析并输出迭代方案。

二、任职要求

1.微电子、集成电路等相关专业，硕士及以上学历。

2.有成功流片经验，有阵列芯片量产经验者优先。

3.有MRAM/RRAM/PCRAM/STT-MRAM读写链路设计经验者优先。

4.有存算一体芯片模拟前端设计经验者优先。

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