岗位描述
岗位:TD-PIE工程师(GaN)
学历:硕士
需求专业:电子科学与技术,电气工程
需求人数:2
工作地点:江苏省苏州市,
职位描述:
工作职责:
1、参与GaN HEMT外延开发、器件设计、工艺整合开发流片、可靠性鉴定、良率提升的全流程工作。
2、定位拆解GaN HEMT器件漏电、阈值漂移、Idq退化等核心问题,优化外延和工艺,不断提升器件性能与可靠性。
3、批量分析电性数据,可通过大样本数据完成工艺波动分析、器件特性统计,支撑工艺窗口收敛与器件性能迭代。
任职资格:
1、硕士及以上学历,集成电路、电子科学与技术、微电子等相关专业;
2、逻辑思维强,沟通表达优秀;
3、具备良好的团队协作能力。
招聘简章:定义芯边界 ——华太电子2027届校园招聘(苏州华太电子技术股份有限公司)