岗位描述
工作职责
1. 负责DRAM阵列架构(Cell Array/Wordline/Bitline/Sense amplifier)和外围控制电路(Row/Column decoder, Sense amplifiers control)的全定制电路设计。
2. 负责标准化及定制化的DRAM阵列架构开发及优化。
3. 负责Refresh & Row Hammer相关电路设计。
4. 负责DRAM Array DFT相关模块的设计,配合测试工程师完成进行失效分析与改进,提升产品的良率。
5. 配合并指导版图工程师对关键区域进行布局与优化。
6. 输出整列相关的设计文档及报告。
任职要求
教育背景: 微电子、集成电路、电子工程、物理电子学等相关专业,硕士及以上学历。