锦鲤求职岗位描述
职位描述
1. GaAs/InSb/InAs等类型Hall敏感源结构设计与版图：承担霍尔器件/多端结构器件结构设计、版图实现与设计规范输出。
2. GaAs/InSb/InAs等类型Hall关键指标优化：主导磁场感度、失调电压、温度稳定性等核心指标 debug 与可靠性建模。
3. 代工厂工艺对接：主导三安等 III-V 代工厂工艺 split、MPW 流片与良率提升，建立与代工厂的协同机制，优化工艺提升器件性能。
4. 器件-电路协同建模：与电路设计团队构建 GaAs Hall 器件-电路协同模型，支撑 GaAs + 高集成度 ASIC 方案 demo。
5. 硅基 Hall 工艺优化与新结构预研：参与BCD平台平面霍尔器件优化。
6. 跨职能协同与知识沉淀：与封装、测试、应用协同；输出设计规范、可靠性数据与竞品分析。
任职条件
【任职资格】
1. 学历要求：硕士及以上
2. 专业要求：半导体器件 / (化合物)半导体材料/微电子 / 物理 / 电子工程
【专业知识要求】
1. 化合物半导体材料物理，磊晶工艺能力与材料设计能力
2. 器件结构设计与工艺建模
3. 半导体工艺流程（光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、合金化）