博士后（半导体微腔与室温光量子效应）

研究方向及核心研究内容：
面向半导体微腔中的室温光量子效应与新型光电器件开展研究。围绕卤化物钙钛矿、半导体微纳光子结构及强耦合体系，重点开展：
1）微腔-激子强耦合与激子极化激元形成机制研究；
2）室温极化激元凝聚、超流、超固体及相关非平衡多体物理研究；
3）拓扑光子晶体/微腔中的拓扑极化激元与边缘态调控；
4）基于BIC、拓扑态等新机制的单模激光、低阈值激光及新型微腔光电器件设计、制备与表征。岗位鼓励结合理论模拟、器件加工和光谱测试开展交叉研究。

培养年限：
2年

导师及科研团队简介：
长期从事腔量子电动力学、半导体微腔光场调控与室温激子极化激元研究，在卤化物钙钛矿微腔、室温极化激元宏观量子现象、拓扑极化激元及新型微腔光电器件等方向具有较好研究基础。团队依托全国重点实验室和相关科研平台，具备微纳加工、光学表征、器件制备与理论模拟条件，可为博士后提供良好的科研环境与发展支持。

招收基本条件：
具有微纳光子学、半导体物理、微腔光学、材料制备、超快/显微光谱、数值模拟等相关研究基础者优先。

薪酬待遇：
基础年薪30万左右，享受完备的社保和福利待遇；支持申请国家及地方各类博士后人才项目；成果优秀的博士后出站后可优先竞聘半导体所的相关工作岗位。