锦鲤求职岗位描述
研究方向及核心研究内容：
聚焦SiC宽禁带半导体材料与器件的前沿研发，贴合产业需求与学术创新，具体核心研究内容如下：
1. SiC材料缺陷工程与杂质调控。探索SiC材料中缺陷与杂质的基本性质、检测方法及消除/钝化技术，解决大尺寸低缺陷SiC制备的关键科学问题；
2. SiC器件验证。针对SiC材料特性开展SiC器件验证，形成材料与器件的互反馈。进行结构设计、建模与参数提取，研究器件的退化机制，提升器件电学性能与可靠性；
3. 结合SiC发展方向与应用场景，推动SiC半导体技术从实验室走向产业化应用，解决核心技术瓶颈。研究内容突出创新性，聚焦SiC领域关键技术痛点，兼具学术价值与产业应用前景，为宽禁带半导体产业升级提供技术支撑。
培养年限：
2年，可根据科研进展与个人需求，经双方协商后延长至3年（最长不超过3年），按照博士后管理规定执行培养与考核。
导师及科研团队简介：
刘兴昉研究员，博士生导师，长期从事SiC半导体研究，主持国家级项目、省部级重点项目及企业横向合作项目多项，在国际国内学术期刊发表学术论文50余篇，申请发明专利30余项，部分专利已实现成果转化，在SiC材料生长、器件及其可靠性验证方面具有较好的的研究积累。科研团队现有研究员2人、副研究员3人、工程师4人、硕博研究生10余人，形成了一支结构合理、配合默契的研究队伍。团队拥有完善的实验平台，包括CVD、MBE外延生长设备、工艺线超净间、高精度表征测试设备，与高校、科研机构及企业建立了长期稳定的合作关系，为博士后提供优质的科研条件、学术交流平台和职业发展指导。
招收基本条件：
1. 已获得或即将获得博士学位（博士学位获得时间一般不超过3年），年龄原则上不超过35周岁，身心健康，品学兼优；
2. 专业背景：材料科学与工程、微电子学与固体电子学、物理学等相关学科，具有SiC半导体材料生长、器件设计、制备工艺、表征测试等相关研究经历者优先，熟悉CVD/MBE外延设备及技术、ICP/RIE刻蚀、器件仿真等技术者优先；
3. 具备较强的独立科研能力，能够独立开展课题研究，以第一作者（或通讯作者）在相关领域期刊发表过高水平学术论文，或拥有相关领域发明专利、科研项目参与经历；
4. 具有良好的英语听说读写能力，能够熟练阅读英文文献、撰写英文论文及项目申报书，外籍博士后需具备基本的中文沟通能力；
5. 遵守国家法律法规及博士后管理相关规定，具有良好的敬业精神、团队协作意识和学术道德，无学术不端记录，承诺全职从事博士后研究工作；
6. 符合国家及设站单位关于博士后招收的各项规定，不设置任何歧视性条款，平等对待国内外申请者，海外申请人可适当放宽相关工作经历要求（业绩特别突出者优先）。
薪酬待遇：
实行协议年薪制。
1. 起薪28-30万元/年，表现优秀者，年薪可达43万元/年；
2. 根据博士后科研成果包括论文发表、专利申请、项目申报、成果转化等发放科研绩效；
3. 福利保障：按国家规定缴纳，享受节假日福利、带薪年休假、业务培训等；
4. 优秀博士后可优先留所工作或推荐至高校、科研院所工作。