岗位描述
学科:
微电子学与固体电子学/物理电子学
领域:
激光/光电子
研究方向与核心研究内容:
1)高性能人工微结构半导体激光器研制,结合AI研究激光器模态调控与性能之间的关联和深层次影响规律;
2)基于人工微结构激光器的空间/片上应用系统开发,面向激光雷达、制导、精密测量、下一代加工技术等,包括光机电一体化设计、封装、环境验证等。
3)光学设计和耦合。主要开展波导光路、自由空间光路的集成设计、合束设计及相关研究工作;
4)MOCVD、MBE外延设计生长与器件研究。主要参与MOCVD、MBE等外延生长设备的操作和维护,进行GaAs基、InP基半导体外延材料的设计、生长、器件优化等研究;
5)Si基混合集成器件与芯片研究。进行Si基片上集成光学设计、器件制作、测试研究
培养年限:
2年
导师及科研团队简介:
郑婉华院士及其团队掌握人工微结构半导体激光器的理论模拟方法、结构设计、外延材料生长、工艺制备和封装测试等一系列自主关键技术,获得过国家技术发明奖二等奖、J队科学技术进步奖一等奖和中国专利金奖,相关产品已经在多家公司推广应用,并实现了技术转让。
招收基本条件:
1.获得博士学位,且获学位时间一般不超过3年;
2.身心健康,年龄在35周岁以下(含35岁);
3.进站后保证全脱产从事博士后研究工作;
4.恪守科研道德和学术规范,学风正派,爱岗敬业,诚实守信,品德优良,作风踏实,具备吃苦耐劳精神;
5.具有较大发展潜力,较好的创新研究成果,良好的团队协作精神;
6.符合全国博管会及研究所招收博士后的相关要求。
薪酬待遇:
1.半导体所提供有竞争力的薪酬待遇,年薪35-50万元(具体视匹配度),享受完备的社保和福利待遇;
2.支持申请国家资助博士后研究人员计划(A/B/C档)、博士后国(境)外交流项目、中国科学院特别研究助理资助项目、中国博士后科学基金、国家自然科学基金等基金项目;
3.成果优秀的博士后出站后可优先竞聘半导体所的相关工作岗位;
4.享受全国博管会关于出站博士后户口迁移及家属户口随迁等政策。