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武汉新芯

2027届-XMC-硅光电子器件与PDK开发工程师(J11632)

  • 校招
  • 武汉
  • 博士及以上
  • 半导体/芯片
  • 发布于 2026-08-12
原岗位链接 ↗

岗位描述

岗位职责
研究方向:
1、高速硅光电子低损耗无源器件、高带宽有源器件设计及结构开发;
2、12寸硅光电子工艺、材料及其对性能影响研究;
3、硅光电子器件设计规则、性能仿真、器件模型研究。

岗位要求
1.申请人年龄35周岁以下,可全职进行博士后研究;
2.有熟悉anysy,lumerical,HFSS等设计软件及版图绘制相关软件,有硅光设计及流片经验者优先
3.热爱本行业领域科学研究,能独立开展科研工作,有良好的思想品德,具有团队合作和敬业精神,作为第一作者在SCI/EI或本领域核心期刊上发表过高水平学术论文者优先

半导体/芯片方向的申请准备

先核对岗位要求与自己的经历,再准备档案、投递和面试。

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