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中兴微电子

IC工艺开发工程师(成都)

  • 社招
  • 成都
  • 硕士及以上
  • 其他生产制造职位
  • 发布于 2026-07-02
原岗位链接 ↗

岗位描述

工作模式:本地办公,按需短期驻厂(Fab现场支持)

岗位简介:归属工艺接口方向,主要负责公司各制程流片项目的Fab工艺对接、工艺导入、良率改善与工艺风险管控。要求晶圆原厂PIE方向,日常成都办公,产线重大异常/良率攻坚阶段按需驻厂进场,打通后端物理设计与Fab制程的工艺闭环,支撑项目研发与量产良率达标。

岗位职责

1. 负责公司流片项目Fab工艺对接,对接Fab PIE、制程模块、测试团队,承接工艺问询、参数确认、Lot异常跟进;

2. 负责项目工艺评估、DOE验证方案评估、工艺窗口界定与器件电性优化方案及良率评估;

3. 主导WAT/CP/FT良率分层拆解、失效分析、根因定位,输出8D改善报告,推动Fab工艺优化闭环;

4. 结合器件机理与制程特性,识别DFM违规、工艺边界、版图诱发工艺风险,前置预警并反向约束后端设计规则;

5. 支撑后端设计团队,沉淀工艺约束、寄生边界、制程禁忌等工艺知识库,从源头降低工艺性良率损失;

6. 项目关键节点、产线重大异常、良率爬坡阶段按需短期驻厂,现场复盘数据、推进问题解决,结束后返回成都办公。

任职要求

1. 硕士及以上学历,微电子、半导体物理、电子工程、材料等相关专业;

2. 7年及以上晶圆厂原厂PIE全职经验;

3. 精通平面MOS/FinFET器件物理、短沟道漏电机理,熟悉光刻、刻蚀、薄膜、离子注入、CMP全制程模块;

4. 熟练掌握WAT电性分析、良率Loss拆解、失效根因定位,可独立完成工艺DOE与参数优化评估;

5. 熟悉DFM、版图与工艺耦合关系,能联动后端设计规避工艺风险;

6. 接受按需短期驻厂出差,具备强跨方推动能力、数据复盘能力,抗压性强。

加分项: 有设计公司工艺接口、后端设计联动经验; 了解芯片可靠性(HCI/NBTI/TDDB)优化优先

其他生产制造职位方向的申请准备

先核对岗位要求与自己的经历,再准备档案、投递和面试。

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