晶体生长工程师

岗位职责
1. 工艺开发：
设计并执行MPCVD/HFCVD单晶/多晶金刚石生长实验，研究气压、衬底温度、气体配比、微波功率等参数对生长速率、晶体质量与缺陷密度的影响，形成可复现的工艺窗口。
2. 缺陷控制：
控制边缘多晶化、包裹体、位错、界面脱层等缺陷，持续提升晶体尺寸、纯度与结晶质量，配合掺杂（硼/氮）等特殊需求。
3. 籽晶工程：
负责籽晶筛选、预处理与偏压成核工艺；配合籽晶剥离与回收流程，保证母体籽晶可重复使用。
4. 后道协同：
理解长晶应力对面形、翘曲与后道良率的影响，主动向后道（磨抛、切割）提供工艺反馈并协同定位问题。
5. 设备运维：
负责MPCVD/HFCVD设备安装调试、点检保养、故障排查，以及配套制氢机、纯水机、CDA与特气系统的运行维护和安全管理。
6. 知识沉淀：
建立工艺—性能数据库，输出SOP、实验报告、技术总结与专利，参与实验室建设与洁净间规范制定。

岗位要求
1、材料、物理、化学、微电子等相关专业，硕士及以上学历（具3年以上直接相关经验者可放宽至本科）；
2、2年以上MPCVD/HFCVD设备操作与工艺开发经验，且具备金刚石单晶/多晶（同质外延）生长实际经验；
3、熟悉金刚石CVD生长原理与等离子体基本过程，能独立完成参数调试与工艺设计；
4、 熟练使用拉曼光谱、XRD、SEM、光学显微镜等表征手段，能独立完成缺陷分析与数据复盘；
5、具备英文专业文献阅读能力。
优先条件：
1、有大尺寸单晶（1英寸及以上）或光学级/电子级金刚石开发经验；
2、有从0参与实验室或产线建设（设备选型、安装调试、洁净间/安全体系）经验；
3、有异质外延（Si基等）、缓冲层或拼接生长经验；
4、有授权专利或SCI论文。