岗位描述
岗位职责
1.负责嵌入式非易失性存储器(NVM)IP的架构定义与全流程电路设计,覆盖eFUSE, eFlash, 等主流存储类型,以及MRAM、RRAM等新型存储技术
2.指导版图工程师完成NVM存储器阵列及外围模拟模块的版图设计
3.支持NVM IP DK的生成,包括verilog, Liberty,datasheet, bitmap等
4.支持相关NVM testchip的设计以及测试
岗位要求
1.拥有微电子方向或相关专业学士或硕士学位。至少3年模拟及混合信号晶体管级电路设计的直接经验。
2.具备eFUSE/eFlash/MRAM/RRAM一项或多项存储器设计经验
3.熟练使用主流模拟设计EDA工具,包括Cadence Virtuoso、Spectre、HSPICE、XA、FINESIM等,进行全定制电路设计与仿真
4.拥有NVM相关芯片的测试、失效分析等方面的经验优先。
5.熟悉CMOS、Fin-FET和FD-SOI等先进工艺节点,具备跨工艺节点设计经验
6.具备优秀的中英文技术文档读写能力,以及良好的沟通协调能力,能够与版图、测试、系统等团队高效合作。