多晶磷化铟（InP）材料研发 高级研究员

职位描述
1. 学历专业
博士学历，2026届应届博士可预入职；材料科学与工程、材料物理、凝聚态物理、半导体材料等相关专业；研究方向为III-V族化合物半导体、晶体材料合成、缺陷调控，有磷化铟相关研究经验优先。
2. 专业能力
具备2年及以上III-V族化合物半导体相关研发工作经验；精通磷化铟物化特性及真空高温合成机理，具备InP多晶合成提纯实操经验；熟悉材料表征检测流程，具备独立工艺攻关能力，拥有相关专利、论文、产业化经验者优先。
3. 其他条件
38周岁及以下，产业化经验丰富可放宽至42周岁；品行端正，无学术不端，身体健康，具备良好团队协作能力。

任职要求
博士学历，Inp方向