岗位描述
【企业简介】
睿思芯科成立于2018年底,是一家提供 RISC-V 高端核心处理器解决方案的公司,创始团队来自于加州大学伯克利分校 RISC-V 原创项目组。公司主要开发基于 RISC-V 的高算力处理器 IP 核,提供垂直领域(DSA)定制处理器设计服务以及定制芯片解决方案,满足从边缘计算到数据中心等各领域的高算力要求,客户涵盖国内外多家知名企业,开展 IP 授权和 SoC 定制化开发合作。
自创立以来,睿思芯科获得多家顶级投资机构背书,截止2022年底已完成多轮融资,股东包括北极光创投、字节跳动、高瓴创投、翼朴资本、联想创投、百度风投、水木投资集团、真格基金等。 睿思芯科中国总部位于深圳,在成都等地设有多个办公室。
岗位职责:
1.负责设计定制电路设计,包括sram, RegisterFiles和其他存储结构;
2.负责在先进的CMOS工艺中构建、设计和验证内存设计;
3.负责进行时序,功率,功能等效,电磁/红外和良率分析;
4.负责执行性能/功率/面积/稳健性权衡分析;
5.与布局团队紧密合作,确保高产量和高利润率的布局;
6.支持后硅表征和实现量产的努力;
7.指导团队中的初级工程师。
岗位要求:
1.电气工程硕士/博士学位;
2.有相关内存/SRAM/寄存器文件设计经验;
3.在FinFET工艺中具有嵌入式存储器设计从概念到量产的实践经验;
4.有CAM / TCAM设计经验者优先;
5.有行为建模和生成记忆时序库模型经验者优先;
6.有内存编译器设计经验者优先。